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SI7236DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.2 毫欧 @ 20.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 10V; 功率_最大：46W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7236DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.2 毫欧 @ 20.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 10V; 功率_最大：46W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7236DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.2 毫欧 @ 20.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 10V; 功率_最大：46W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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SI7236DP-T1-GE3
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陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 560PF 500V 5% NP0 1210
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