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SI7102DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 15A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3720pF @ 6V; 功率_最大：52W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

SI7102DN-T1-E3供应商

SR151A151JAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 100V 5% RADIAL
SI4228DY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
SI6981DQ-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP
RT0402CRE0720K5L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 20.5KOHM 1/16W .25% SMD 0402
RT0805CRD0715K8L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 15.8K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SH275-1
热缩管 Daburn Electronics 径向 HEATSHRINK BLACK 1IN X 100FT
RTD-1509/H
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 15VIN +/-09VOUT
RT424A12
功率，高于 2 安 TE Connectivity 2010（5025 公制） RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V
SR151A151JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 100V 5% RADIAL
RT0402CRE0720R5L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 20.5 OHM 1/16W .25% SMD 0402
RT424F05
功率，高于 2 安 TE Connectivity 2010（5025 公制） RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 5V
RT0805CRD07160RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 160 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SH275-1/2
热缩管 Daburn Electronics 径向 HEATSHRINK BLACK 1/2IN X 5FT
SR151A151JARAP2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 100V 5% RADIAL
SI4286DY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix * MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8

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