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SI4286DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32.5 mOhm @ 8A, 10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 20V; 功率_最大：1.9W; 安装类型：*; 封装/外壳：*; 供应商设备封装：*; 包装：*

SI4286DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32.5 mOhm @ 8A, 10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 20V; 功率_最大：1.9W; 安装类型：*; 封装/外壳：*; 供应商设备封装：*; 包装：*

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RTD-1509/H
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 15VIN +/-09VOUT
RT424A12
功率，高于 2 安 TE Connectivity 2010（5025 公制） RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V
SR151A151JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 100V 5% RADIAL
SI4228DY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
SI7102DN-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 1212-8
RT0402CRE0720R5L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 20.5 OHM 1/16W .25% SMD 0402
RT424F05
功率，高于 2 安 TE Connectivity 2010（5025 公制） RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 5V
RT0805CRD07160RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 160 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SH275-1/2
热缩管 Daburn Electronics 径向 HEATSHRINK BLACK 1/2IN X 5FT
RTD-1509/HP-R
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 15VIN +/-09VOUT
RT0402CRE07215RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 215 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7106DN-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
RT424F06
功率，高于 2 安 TE Connectivity 2010（5025 公制） RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 6V
RT0805CRD07165RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 165 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SH275-3/16
热缩管 Daburn Electronics 径向 HEATSHRINK BLACK 3/16IN X 250FT

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