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SI6969BDQ-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.0A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 4.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

SI6969BDQ-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.0A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 4.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI6969BDQ-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.0A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 4.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

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