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SI6473DQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.08W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

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SI6463BDQ-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
SI3232DCX-EVB
评估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 64-TQFP DAUGHTER CARD W/DISCRETE INTRFC
SD-40LP
连接器，互连器件 CUI Inc DO-200AA，A-PUK CONN DIN PLUG LOCKING IN-LINE 4P
SI4410BDY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SCC15D
压力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP SENSOR PRESS DIFF 15PSI
RNF18FTC1K82
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 1.82K OHM 1% AXIAL
RNCF1206DTE38K3
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 38.3K OHM 1/8W 0.5% 1206
MDM-51PH003B
D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE
SD453N16S30PC
单二极管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE FAST REC 1600V 450A B-8
SCC15DN
压力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP SCC DIFF GAGE 0 PSID TO 15 PSID
SI4410DY
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
RNF18FTC1M00
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 1M OHM 1% AXIAL
SD453R16S20PC
单二极管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE FAST REC 1600V 400A B-8
RNCF1206DTE40K2
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 40.2K OHM 1/8W 0.5% 1206
MDM-51PH003L
D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE