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SI5933CDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：144 毫欧 @ 2.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：276pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5933CDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：144 毫欧 @ 2.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：276pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5933CDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：144 毫欧 @ 2.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：276pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

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SIP1X32-011BLF
用于 IC 的插座，晶体管 FCI PowerPAK? MLP33-6 SIP1X32-011BLF SIP SOCKET 32 CTS
VJ1206A820JBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 82PF 500V 5% NP0 1206
SHIPLBL-015
标签，标记 3M (TC) LABEL 10X8" BLACK ON RED 250/PK
VI-BN1-EW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
SFR2500004532FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 45.3K OHM MET FILM .40W 1%
VI-B4R-EW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W