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SI5902BDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5902BDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5902BDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

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用于 IC 的插座，晶体管 FCI PowerPAK? MLP33-6 SIP1X32-001BLF SIP SOCKET 32 POS
VJ1206A820JBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 82PF 200V 5% NP0 1206
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标签，标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 50/PK
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通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 4.42K OHM METAL FILM .40W 1%
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W