SI5853CDC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:104 毫欧 @ 2.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 8V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
SI5853DC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 2.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:Digi-Reel®
SI5853DC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 2.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
SI5853DC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 2.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:剪切带 (CT)
SI5853DDC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 2.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 8V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
SI5853DDC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:二极管(隔离式)
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 2.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 8V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:Digi-Reel®
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 1.10K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 36-72VIN 12VOUT
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 430K OHM 1/4W 5% AXIAL
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER SHIELD 100UH SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 6.04K OHM 1/8W 0.1% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 37POS PIN 36" WIRE
- DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 36-72VIN 12VOUT
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS PIN 3" YEL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 70.6K OHM 1/8W 0.1% 1206
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER SHIELD 150UH SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/4W 56 OHM 5% AXIAL
- DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 36-72VIN +/-15VOUT