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SI5513CDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 4.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：285pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5513CDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 4.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：285pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5513CDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 4.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.2nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：285pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

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PMIC - LED 驱动器 Richtek USA Inc 16-WFQFN 裸露焊盘 IC WLED DVR CHRG PUMP 5CH 16WQFN
SMAJ5919B-TP
单二极管/齐纳 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA DIODE ZENER 1.5W 5.6V SMA
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板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 24POS GOLD WW
SI2435-A-FT
接口 - 调制解调器 - IC 和模块 Silicon Laboratories Inc 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 24TSSOP
STD09W-K
标记 TE Connectivity MARKER SNAP-ON K 3.25-4.5MM WHT
SRS-4-175
电路板衬垫，支座 Bivar Inc PVC SCREW SPACER