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SI5519DU-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 6.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 10V; 功率_最大：2.27W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：Digi-Reel®

SI5519DU-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 6.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 10V; 功率_最大：2.27W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：带卷 (TR)

SI5519DU-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫欧 @ 6.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 10V; 功率_最大：2.27W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：剪切带 (CT)

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