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SI5517DU-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/PCH D-S 20V PPAK CHIPFT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 4.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：8.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：剪切带 (CT)

SI5517DU-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/PCH D-S 20V PPAK CHIPFT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 4.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：8.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：带卷 (TR)

SI5517DU-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/PCH D-S 20V PPAK CHIPFT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫欧 @ 4.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：8.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：Digi-Reel®

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陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 75PF 100V 10% NP0 1206
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SHIPLBL-007-50
标签，标记 3M (TC) LABEL 4X4" BLACK ON WHITE 50/PK
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