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SI5511DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 4.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V; 功率_最大：3.1W，2.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5511DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 4.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V; 功率_最大：3.1W，2.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5511DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫欧 @ 4.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：435pF @ 15V; 功率_最大：3.1W，2.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

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RF 收发器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 IC TXRX ISM 930MHZ 3.6V 20-QFN
RT1206DRE07300KL
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SSQE48T13050-PABNG
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模块 DC/DC CONVERT 5V 13A
SI4430BDY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
RYM12DTBD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
SI7366DP-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 20V 13A PPAK 8SOIC
SI5513CDC-T1-GE3
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