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SI4090DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 50V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

SI4090DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 50V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

SI4090DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 50V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

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SI4056DY-T1-GE3
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RTS-1512/H
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块（5 引线） CONV DC/DC 2W 15VIN 12VOUT
MNR14E0ABJ271
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 270 OHM 4 RES 1206
SM6227FTR665
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 0.665 OHM 3W 1% WW 6227
SR212A120JAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 12PF 200V 5% RADIAL
RW1S5CAR100J
芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 3916 J 形引线 RES POWER .100 OHM 1.5W 5% SMT
RT1206FRE0747KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 47.0K OHM 1/4W 1% SMD 1206