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SI4056DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 50V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

SI4056DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 50V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

SI4056DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 50V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

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