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SI2319CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：595pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2319CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：595pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2319CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：595pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

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SI2319CDS-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 40V SOT-23
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芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 69.8K OHM 1/4W .1% SMD 1206
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通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 590 OHM METAL FILM .40W 1%
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S14K75
TVS - 变阻器，MOV EPCOS Inc 圆盘 14mm VARISTOR 75VRMS 14MM RADIAL
SL1011A400C
气体放电管 (GDT) Littelfuse Inc 圆柱形无引线 GAS TUBE GDT 5KA 400V CORE
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板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Samtec Inc SOT-23-6 CONN SNGL-END ARRAY MALE 320POS
RT1206BRD076K98L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 6.98K OHM 1/4W .1% SMD 1206