SI2312BDS-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料

SI2312BDS-T1-E3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫欧 @ 5A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：750mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：Digi-Reel®

SI2312BDS-T1-E3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫欧 @ 5A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：750mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：剪切带 (CT)

SI2312BDS-T1-E3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫欧 @ 5A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：750mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：带卷 (TR)