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SI2308BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V; 功率_最大：1.66W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2308BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V; 功率_最大：1.66W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2308BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：156 毫欧 @ 1.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 30V; 功率_最大：1.66W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

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SI2308BDS-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
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SR121A221JARTR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
SFD44S60K391B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - QC 端子 CAP FILM 60UF 440VAC QC TERM
SR155C392KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
SK16-LTP
单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMB
RT1206CRE0788R7L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 88.7 OHM 1/4W .25% SMD 1206
SRR1260-820M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 82UH 1.95A SMD