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SI1419DH-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：300mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 400mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：Digi-Reel®

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SI1419DH-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：300mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 400mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 100µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.2nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：带卷 (TR)

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