SI1051X-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

SI1051X-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：8V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：-

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：122 毫欧 @ 1.2A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.45nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 4V

功率_最大：236mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SC-89-6

包装：剪切带 (CT)

SI1051X-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：8V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：-

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：122 毫欧 @ 1.2A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.45nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 4V

功率_最大：236mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SC-89-6

包装：Digi-Reel®

SI1051X-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：8V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：-

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：122 毫欧 @ 1.2A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.45nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 4V

功率_最大：236mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SC-89-6

包装：带卷 (TR)