RSY200N05TL 全国供应商、价格、PDF资料

RSY200N05TL详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：45V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：20W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：CPT3

包装：Digi-Reel®

RSY200N05TL详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：45V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：20W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：CPT3

包装：剪切带 (CT)

RSY200N05TL详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：45V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：20W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：CPT3

包装：带卷 (TR)