RNF18FTD196R 全国供应商、价格、PDF资料
RNF18FTD196R详细规格
- 类别：通孔电阻器
- 描述：RES 1/8W 196 OHM 1% AXIAL
- 系列：RN
- 制造商：Stackpole Electronics Inc
- 电阻333Ω444：196
- 功率333W444：0.125W，1/8W
- 成分：金属薄膜
- 特性：阻燃涂层
- 温度系数：±100ppm/°C
- 容差：±1%
- 封装/外壳：轴向
- 供应商器件封装：轴向
- 大小/尺寸：0.071" 直径 x 0.130" L（1.80mm x 3.30mm）
- 高度：-
- 端子数：2
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
- 接口 - UART（通用异步接收器/发送器） NXP Semiconductors 44-LCC（J 形引线） IC UART DUAL 44-PLCC
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 100UH SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 196K OHM 1% AXIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES 130 OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 56UH .57A SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES 64.9 OHM 1/2W 0.01% 2512
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP
0755-83223003 
010-62104931、 
010-62104931、 
