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» 型号"SI4464DY-T1-E3"的供应信息
SI4464DY-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
SI4464DY-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 2.2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®
SI4464DY-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 2.2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)
SI4464DY-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 2.2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
SI4464DY-T1-E3供应商
SI4464DY-T1-E3
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司
0532-87557828
SI4464DY-T1-E3
深圳市源丰诚电子科技有限公司
0755-23919407
SI4464DY-T1-E3
深圳市中联芯电子有限公司
18025360035 0
SI4464DY-T1-E3
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507690
SI4464DY-T1-E3
深圳市壹芯创科技有限公司
0755-83228087
SI4464DY-T1-E3
深圳市华睿芯科技有限公司
0755-23914326
SI4464DY-T1-E3
深圳市金嘉锐电子有限公司
0755-22929859
SI4464DY-T1-E3
北京罗彻斯特电子科技有限公司
13261827936军工
SI4464DY-T1-E3
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
13528893675
SI4464DY-T1-E3
清晨半导体(深圳)有限公司
15767171023
SI4464DY-T1-E3
深圳市裕硕科技有限公司
0755-82767795
SI4464DY-T1-E3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SI4464DY-T1-E3
深圳市富乐亚科技有限公司
0755-18503085
SI4464DY-T1-E3
深圳市诚芯晨科技有限公司
0755-82567696
SI4464DY-T1-E3
深圳市源丰诚电子科技有限公司
0755-23919407
SI4464DY-T1-E3
深圳市品德冠科技有限公司
0755-82789296
查看更多SI4464DY-T1-E3的供应商
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SI4456DY-T1-E3
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