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QS8M51TR 全国供应商、价格、PDF资料

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QS8M51TR详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A,1.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:325 毫欧 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4.7nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:290pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:TSMT8
包装:Digi-Reel®

QS8M51TR详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A,1.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:325 毫欧 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4.7nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:290pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:TSMT8
包装:剪切带 (CT)

QS8M51TR详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A,1.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:325 毫欧 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4.7nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:290pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:TSMT8
包装:带卷 (TR)

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