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» 型号"PBSS4330PA,115"的供应信息
PBSS4330PA,115 全国供应商、价格、PDF资料
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PBSS4330PA,115详细规格
类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 300mA,3A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:270 @ 1A,2V
功率_最大:2.1W
频率_转换:210MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:3-HUSON
包装:剪切带 (CT)
PBSS4330PA,115详细规格
类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 300mA,3A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:270 @ 1A,2V
功率_最大:2.1W
频率_转换:210MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:3-HUSON
包装:Digi-Reel®
PBSS4330PA,115详细规格
类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 300mA,3A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:270 @ 1A,2V
功率_最大:2.1W
频率_转换:210MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:3-HUSON
包装:带卷 (TR)
PBSS4330PA,115详细规格
类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 300mA,3A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:270 @ 1A,2V
功率_最大:2.1W
频率_转换:210MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-UDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:3-HUSON
包装:带卷 (TR)
PBSS4330PA,115供应商
PBSS4330PA,115
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
PBSS4330PA,115
深圳市朱博士电子科技有限公司
(86)-755-8326
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OSTVJ156152
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PBSS4330PA,115
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