NTD4302详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 24V
- 功率_最大:1.04W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
NTD4302-1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 24V
- 功率_最大:1.04W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
NTD4302G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 24V
- 功率_最大:1.04W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
NTD4302T4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 24V
- 功率_最大:1.04W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
NTD4302T4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 24V
- 功率_最大:1.04W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
NTD4302T4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 24V
- 功率_最大:1.04W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模块(5 引线) CONV DC/DC +/-5V +/-75MA SIP
- 时钟/计时 - 可编程计时器和振荡器 Micrel Inc SC-74A,SOT-753 IC OSC MONO TIMING 5MHZ SOT23-5
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
- RF 放大器 Hittite Microwave Corporation 16-VFQFN 裸露焊盘 IC MMIC PWR AMP 16QFN
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 6-UFDFN IC SWITCH SPST 6UDFN
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR UNSHIELD 10UH SMD
- 线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器 NJR 8-VSSOP,8-MSOP(0.110",2.80mm 宽) IC VIDEO AMP W/LPF LO-VOLT 8TVSP
- 线性 - 视频处理 NJR 8-DIP(0.300",7.62mm) IC VIDEO SUPERIMPOSER 3-IN 8-DIP
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模块(5 引线) CONV DC/DC +/-5V +/-75MA SIP
- 逻辑 - 移位寄存器 ON Semiconductor 16-DIP(0.300",7.62mm) IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-PDIP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR UNSHIELD 330UH SMD
- 线性 - 视频处理 NJR 8-DIP(0.300",7.62mm) IC VIDEO SUPERIMPOSER 3-IN 8-DIP
- 线性 - 视频处理 NJR 20-DMP IC VIDEO DRIVER QUAD 20-DMP
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模块(5 引线) CONV DC/DC +/-15V +/-25MA SIP