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库存索引158
» 型号"NSBC124EPDXV6T1"的供应信息
NSBC124EPDXV6T1 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
NSBC124EPDXV6T1详细规格
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:带卷 (TR)
NSBC124EPDXV6T1详细规格
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:剪切带 (CT)
NSBC124EPDXV6T1G详细规格
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:Digi-Reel®
NSBC124EPDXV6T1G详细规格
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:带卷 (TR)
NSBC124EPDXV6T1G详细规格
类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:-
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:剪切带 (CT)
NSBC124EPDXV6T1供应商
NSBC124EPDXV6T1G
深圳市中新永盛科技有限公司
0755-83211840
NSBC124EPDXV6T1G
深圳市昭兴微电子有限公司
0755-23991909
NSBC124EPDXV6T1G
深圳市宇明芯科技有限公司
0755-83051566
NSBC124EPDXV6T1G
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507690
NSBC124EPDXV6T1
晟驰微(深圳)半导体有限公司
0755-82570551
NSBC124EPDXV6T1G
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
NSBC124EPDXV6T1G
上海鑫丰电子技术有限公司
021-51875986/
NSBC124EPDXV6T1
深圳青禾创新科技有限公司
0755-82778126
NSBC124EPDXV6T1G
深圳市聚正电子有限公司
0755-82718252
NSBC124EPDXV6T1G
深圳市中芯达智能科技有限公司
0755-23993320
NSBC124EPDXV6T1
深圳市金嘉锐电子有限公司
0755-22929859
NSBC124EPDXV6T1G
深圳信泰电子器材有限公司
0755-83242658
NSBC124EPDXV6T1
深圳市励芯恒智能科技有限公司
0755-23487994
NSBC124EPDXV6T1GONSEMI-DSA
深圳宇邦高科技有限公司
0755-82524712
NSBC124EPDXV6T1G
深圳市裕硕科技有限公司
0755-82767795
NSBC124EPDXV6T1
深圳羚行科技有限公司
0755-18073598
查看更多NSBC124EPDXV6T1的供应商
NOJB226M010RWB
氧化铌 AVX Corporation 1210(3528 公制) CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
P1168.683NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 68UH SMD
NSBC123JF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
NOJD477M002RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP NIOB OXIDE 470UF 2.5V 2917
MGA-665P8-BLK
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 IC AMP MMIC LNA GAAS 3V 8-LPCC
MIC2185YQS
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BST PWM CM 16-QSOP
NP50P04SDG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH -40V -50A TO-252
HMK432B7225KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812(4532 公制) CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
NOJB226M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1210(3528 公制) CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
NOJF157M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312(6032 公制) CAP NIOB OXIDE 150UF 6.3V 2312
MGA-68563-TR1G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD SOT-363
NP52N06SLG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 52A TO252
MIC2198YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 12-VFDFN 裸焊盘,12-MLF? IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF
HMK432B7225KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812(4532 公制) CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
NOJC107M002SWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312(6032 公制) CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312
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