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NP90N03VUG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 90A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫欧 @ 45A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252; 包装：带卷 (TR)

NP90N03VUG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 90A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫欧 @ 45A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252; 包装：剪切带 (CT)

NP90N03VUG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 90A TO-252; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 毫欧 @ 45A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V; 功率_最大：1.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252; 包装：Digi-Reel®

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晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 32.000000 MHZ 8PF SMD
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配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（600 mil，8 引线） NE1S V3 SOFTWARE 1 LIC UPGRADE
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FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
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P51-200-A-AD-I36-20MA-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 200PSI 7/16-20 UNF 4-20MA

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