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NTD4302T4G 全国供应商、价格、PDF资料

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NTD4302T4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 24V
功率_最大:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:Digi-Reel®

NTD4302T4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 24V
功率_最大:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:剪切带 (CT)

NTD4302T4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 24V
功率_最大:1.04W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK-3
包装:带卷 (TR)

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