NE5517NG详细规格
- 类别：Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
- 描述：IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 放大器类型：跨导
- 电路数：2
- 输出类型：推挽式
- 压摆率：50 V/µs
- 增益带宽积：2MHz
- _3db带宽：-
- 电流_输入偏置：400nA
- 电压_输入失调：400µV
- 电流_电源：2.6mA
- 电流_输出/通道：650µA
- 电压_电源qqq单/双333ttt444：4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V
- 工作温度：0°C ~ 70°C
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：16-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：16-DIP
- 包装：管件
- 氧化铌 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 4.7UH 20% 1812
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC SWITCH SPDT SC88
- RF FET CEL 4-SMD，扁平引线 MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE DE VERT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 86.6 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 144-SODIMM MODULE SDRAM 64MB 144SODIMM
- RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 6.8UH 20% 1812
- 热缩管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 128MB 184-DIMM
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 887KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 背板 - 硬公制，标准 FCI CONN RECEPT 110POS TYPE A R/A
- RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
- 氧化铌 AVX Corporation 2924（7361 公制） CAP NIOB OXIDE 470UF 6.3V 2924
0755-82563615 
0755-89697985 
0755-83223003 
0755-22655674 
171-4729-9698 
0755-/8321846 
0755-82723761 
0755-83777607 
18820154873 
010-62962871、 
13910052844（微 
010-62962871、 
0755-83679110 
0755-83223957 
