NE3509M04-A 全国供应商、价格、PDF资料
NE3509M04-A详细规格
- 类别:RF FET
- 描述:AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
- 系列:-
- 制造商:CEL
- 晶体管类型:HFET
- 频率:2GHz
- 增益:17.5dB
- 电压_测试:2V
- 额定电流:60mA
- 噪音数据:0.4dB
- 电流_测试:10mA
- 功率_输出:11dBm
- 电压_额定:4V
- 封装/外壳:SOT-343F
- 供应商设备封装:M04
- 包装:散装
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 825 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE SDRAM DDR2 512MB 240DIMM
- RF FET CEL TO-243AA MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89
- 氧化铌 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 4.7UH 20% 1812
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 IC SWITCH SPDT SC88
- RF FET CEL 4-SMD,扁平引线 MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 200POS TYPE DE VERT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 86.6 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 6.8UH 20% 1812
- 氧化铌 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 16-DIP(0.300",7.62mm) IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP
- 热缩管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 128MB 184-DIMM
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 887KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R