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» 型号"MVE63VC2R2MD55TP"的供应信息
MVE63VC2R2MD55TP 全国供应商、价格、PDF资料
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MVE63VC2R2MD55TP详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 2.2UF 63V 20% SMD
系列:MVE
制造商:United Chemi-Con
电容:2.2µF
额定电压:63V
容差:±20%
寿命0a0温度:105°C 时为 1000 小时
工作温度:-40°C ~ 105°C
特点:通用
纹波电流:12mA
ESR(等效串联电阻):90.409 欧姆
阻抗:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:径向,Can - SMD
尺寸/尺寸:0.157" 直径(4.00mm)
高度_座高(最大):0.205"(5.20mm)
引线间隔:-
表面贴装占地面积:0.169" L x 0.169" W(4.30mm x 4.30mm)
包装:带卷 (TR)
MVE63VC2R2MD55TP供应商
MVE63VC2R2MD55TP
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
查看更多MVE63VC2R2MD55TP的供应商
MX34007NF1
矩形- 接头,公引脚 JAE Electronics 48-TFBGA,CSPBGA CONN HEADER 2.2MM 7POS R/A
MVE63VC221MK14TR
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 220UF 63V 20% SMD
MCR18EZHF2703
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ONET4211LDRGET
PMIC - 激光驱动器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN
MT36VDDF25672G-40BD2
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR SDRAM 2GB 184-DIMM
MCR03EZPJ913
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 91K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT8VDDT6464AY-335F3
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM
MCR18EZHF2703
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
HF70ACB322513-T
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 1210(3225 公制) FERRITE CHIP 52 OHM 400MA 1210
ONET4291PARGVR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-VQFN 裸露焊盘 IC OPAMP LIMIT DIFF 4.5GHZ 16QFN
MCR03FZPEFX1211
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 1.21K OHM 1/10W 1% 0603
MT36VDDF25672Y-40BD2
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE SDRAM DDR 2GB 184DIMM
MT8VDDT6464AY-40BF3
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM
MCR18EZHF2802
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 28.0K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MX34024NF1
矩形- 接头,公引脚 JAE Electronics 48-TFBGA,CSPBGA CONN HEADER PIN 24POS R/A TIN
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