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» 型号"MVE63VC221MK14TR"的供应信息
MVE63VC221MK14TR 全国供应商、价格、PDF资料
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MVE63VC221MK14TR详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 220UF 63V 20% SMD
系列:MVE
制造商:United Chemi-Con
电容:220µF
额定电压:63V
容差:±20%
寿命0a0温度:105°C 时为 2000 小时
工作温度:-40°C ~ 105°C
特点:通用
纹波电流:470mA
ESR(等效串联电阻):1.055 欧姆
阻抗:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:径向,Can - SMD
尺寸/尺寸:0.492" 直径(12.50mm)
高度_座高(最大):0.531"(13.50mm)
引线间隔:-
表面贴装占地面积:0.512" L x 0.512" W(13.00mm x 13.00mm)
包装:托盘
MVE63VC221MK14TR供应商
MVE63VC221MK14TR
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
MVE63VC221MK14TR
深圳市同亨电子有限公司
【0755-2381688
查看更多MVE63VC221MK14TR的供应商
ONET4211LDRGER
PMIC - 激光驱动器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN
HF659/64SF
扁平带 3M CABLE 64COND RND SHIELD GRY 50’
MX2-AB015-VP
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 48-TFBGA,CSPBGA MX2 230V 1PH VALUE PACK
MVE6.3VE472ML22TR
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 4700UF 6.3V 20% SMD
MCR18EZHF2700
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 270 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MT36VDDF12872G-40BG3
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE SDRAM DDR 1GB 184DIMM
MCR03EZPJ822
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 8.2K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT8VDDT6464AY-335DB
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE SDRAM DDR 512MB 184DIMM
HF696
信号,高达 2 A TE Connectivity RELAY RF SPDT 2A 12V
MCR18EZHF2703
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ONET4211LDRGET
PMIC - 激光驱动器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN
MT36VDDF25672G-40BD2
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR SDRAM 2GB 184-DIMM
MCR03EZPJ913
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 91K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT8VDDT6464AY-335F3
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM
MCR18EZHF2703
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
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