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» 型号"MVE50VC2R2MD55TP"的供应信息
MVE50VC2R2MD55TP 全国供应商、价格、PDF资料
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MVE50VC2R2MD55TP详细规格
类别:电容器
描述:CAP ALUM 2.2UF 50V 20% SMD
系列:MVE
制造商:United Chemi-Con
电容:2.2µF
额定电压:50V
容差:±20%
寿命0a0温度:105°C 时为 1000 小时
工作温度:-40°C ~ 105°C
特点:通用
纹波电流:12mA
ESR(等效串联电阻):90.409 欧姆
阻抗:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:径向,Can - SMD
尺寸/尺寸:0.157" 直径(4.00mm)
高度_座高(最大):0.205"(5.20mm)
引线间隔:-
表面贴装占地面积:0.169" L x 0.169" W(4.30mm x 4.30mm)
包装:带卷 (TR)
MVE50VC2R2MD55TP供应商
MVE50VC2R2MD55TP
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
MVE50VC2R2MD55TP
北京显周科技有限公司
13910052844(微
MVE50VC2R2MD55TP
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
查看更多MVE50VC2R2MD55TP的供应商
MT8HTF6464AY-800D1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 512MB 240-DIMM
MCR18EZHF25R5
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 25.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MVE35VE222MM22TR
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 2200UF 35V 20% SMD
MX2-A4007-VP
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 48-TFBGA,CSPBGA MX2 460V 3PH 1HP VALUE PACK
HF659/34SF
扁平带 3M CABLE 34COND RND SHIELD GRY 25’
ONET1191PRGTR
线性 - 放大器 - 专用 Texas Instruments 16-VFQFN 裸露焊盘 IC LIMITING AMP 11.3GBPS 16-VQFN
MT36HTJ51272Y-40EA2
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 4GB 240-DIMM
MCR03EZPJ681
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 680 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT8HTF6464AZ-667G1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-UDIMM MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240UDIMM
ONET1191PRGTT
线性 - 放大器 - 专用 Texas Instruments 16-VFQFN 裸露焊盘 IC LIMITING AMP 11.3GBPS 16-VQFN
HF659/36SF
扁平带 3M CABLE 36COND RND SHIELD GRY 10’
MX2-A4007-VP
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 48-TFBGA,CSPBGA MX2 460V 3PH 1HP VALUE PACK
MCR03EZPJ681
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 680 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT36JSF1G72PZ-1G6M1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-RDIMM MODULE DDR3 SDRAM 8GB 240RDIMM
MT8JTF25664AZ-1G1D1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 240-UDIMM MOD DDR3 SDRAM 2GBIT 240UDIMM
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