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» 型号"MT47H64M8B6-25E IT:D TR"的供应信息
MT47H64M8B6-25E IT:D TR 全国供应商、价格、PDF资料
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MT47H64M8B6-25E IT:D TR详细规格
类别:存储器
描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA
系列:-
制造商:Micron Technology Inc
格式_存储器:RAM
存储器类型:DDR2 SDRAM
存储容量:512M(64M x 8)
速度:2.5ns
接口:并联
电压_电源:1.7 V ~ 1.9 V
工作温度:-40°C ~ 95°C
封装/外壳:60-FBGA
供应商器件封装:60-FBGA
包装:带卷 (TR)
MT47H64M8B6-25E IT:D TR供应商
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
深圳市毅创腾电子科技有限公司
755-83219286
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
深圳市芯泽盛世科技有限公司
0755-89697985
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
查看更多MT47H64M8B6-25E IT:D TR的供应商
MCR03EZPFX5623
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 562K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MT18VDVF12872Y-335F1
存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 1GB 184-DIMM VLP
MX1H5615
单二极管/整流器 Microsemi Commercial Components Group 轴向 DIODE 1A 200V AXIAL
MV036T360M003
DC DC 转换器(分解式) Vicor Corporation 模块 MIL-COTS VTM CURRENT MULTIPLIER
MT47H64M16HR-3:H TR
存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
MCR18ERTF33R0
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 33.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR
存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
MVY10VC101MF55TP
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 100UF 10V 20% SMD
MCR03EZPFX56R2
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 56.2 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MV-064064-25-8A
标签,标记 TE Connectivity 模块 LABEL ID PRODUCT
MX23A36NF1
矩形- 接头,公引脚 JAE Electronics 轴向 CONN HEADER PIN 36POS R/A TIN
MT48LC4M16A2P-75 IT:G TR
存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
MCR18ERTFL1R00
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 1.00 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MVY16VC102MK14TR
电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 1000UF 16V 20% SMD
MT47H64M8B6-3:D TR
存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA
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