MCR18ERTF33R0 全国供应商、价格、PDF资料
MCR18ERTF33R0详细规格
- 类别:芯片电阻 - 表面安装
- 描述:RES 33.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 系列:MCR18
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 电阻333Ω444:33
- 功率333W444:0.25W,1/4W
- 成分:厚膜
- 特性:-
- 温度系数:±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封装/外壳:1206(3216 公制)
- 供应商器件封装:1206(3216 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 高度:0.026"(0.65mm)
- 端子数:2
- 包装:带卷 (TR)
MCR18ERTF33R0详细规格
- 类别:芯片电阻 - 表面安装
- 描述:RES 33.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 系列:MCR18
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 电阻333Ω444:33
- 功率333W444:0.25W,1/4W
- 成分:厚膜
- 特性:-
- 温度系数:±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封装/外壳:1206(3216 公制)
- 供应商器件封装:1206(3216 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 高度:0.026"(0.65mm)
- 端子数:2
- 包装:剪切带 (CT)
MCR18ERTF33R0详细规格
- 类别:芯片电阻 - 表面安装
- 描述:RES 33.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 系列:MCR18
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 电阻333Ω444:33
- 功率333W444:0.25W,1/4W
- 成分:厚膜
- 特性:-
- 温度系数:±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封装/外壳:1206(3216 公制)
- 供应商器件封装:1206(3216 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 高度:0.026"(0.65mm)
- 端子数:2
- 包装:Digi-Reel®
- 按钮 Cherry SOT-439A SWITCH PUSH SPST-NO 0.01A 12V
- 存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 3.32K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 54TSOP
- 端子 - 铲形 3M 19-SMD CONN TERM SPADE INS 22-18AWG #8
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 562K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 1GB 184-DIMM VLP
- 单二极管/整流器 Microsemi Commercial Components Group 轴向 DIODE 1A 200V AXIAL
- DC DC 转换器(分解式) Vicor Corporation 模块 MIL-COTS VTM CURRENT MULTIPLIER
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 100UF 10V 20% SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 56.2 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 184-DIMM TERM BARRIER 19CIRC DUAL ROW
- 存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA
- 标签,标记 TE Connectivity 模块 LABEL ID PRODUCT