MMUN2212LT1 全国供应商、价格、PDF资料
MMUN2212LT1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
MMUN2212LT1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
MMUN2212LT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
MMUN2212LT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
MMUN2212LT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 1.5PF 100V R2H 0805
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 7POS FLANGE W/SKT
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT 2MM 70POS DL HORZ SMD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 8.2PF 100V U2J 0603
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co SC-76,SOD-323 DIODE SW 200MA 100V SOD-323
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 1.7PF 100V R2H 0805
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT 2MM 35POS SGL HORZ SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 8.3PF 100V U2J 0603
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 1.9PF 100V R2H 0805
- 晶体管(BJT) - 阵列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR DUAL NPN 40V SOT-363