LGW2D222MELC45的供应信息|PDF资料|求购LGW2D222MELC45上51电子网

LGW2D222MELC45详细规格: 类别：电容器; 描述：CAP ALUM 2200UF 200V 20% SNAP; 系列：GW; 制造商：Nichicon; 电容：2200µF; 额定电压：200V; 容差：±20%; 寿命0a0温度：105°C 时为 3000 小时; 工作温度：-40°C ~ 105°C; 特点：通用; 纹波电流：5.22A; ESR（等效串联电阻）：-; 阻抗：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：径向，Can - 卡入式; 尺寸/尺寸：1.378" 直径（35.00mm）; 高度_座高（最大）：1.772"（45.00mm）; 引线间隔：0.394"（10.00mm）; 表面贴装占地面积：-; 包装：散装

LGW2D222MELC45供应商

查看更多LGW2D222MELC45的供应商

IDT70V28L20PF8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
LGUW6331MELC
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 420V 20% SNAP
DS1100Z-200+T
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 5TAP 200NS 8-SOIC
DSF050J153
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.015UF 50VDC RADIAL
DTS060200SUDC-P9P
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2000MA P9 POS C
IMC1210SY390K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 39UH 10% 1210
GRM31CR72E333KW03L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206
IDT70V28L20PFG
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IHSM4825EB4R7L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 4.0A SMD
DSF050J223
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.022UF 50VDC RADIAL
IMC1210SY3R9J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 3.9UH 5% 1210
DTS060250UDC-P12/RN
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2500MA P12 RA NEG
GRM31CR72E333KW03L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206
IDT70V3319S133BFI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA
IHSM4825EB6R8L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH 3.5A SMD