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IDT70V28L20PF8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，异步; 存储容量：1M (64K x 16); 速度：20ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：100-LQFP; 供应商器件封装：100-TQFP（14x14）; 包装：带卷 (TR)

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DTS060200SUDC-P5/RP
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2000MA P5 RA POS
IDT70V27L20PFI8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
GRM31CR72A105MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 100V 20% X7R 1206
DS1100Z-20/T&R/C705
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 5TAP 20NS 8-SOIC
LGUW6221MELC
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 220UF 420V 20% SNAP
IHSM4825EB470L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 47UH 1.07A SMD
DSF050J124
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.12UF 50VDC RADIAL
IMC1210SY33NJ
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 33NH 5% 1210
DTS060200SUDC-P9/RN
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2000MA P9 RA NEG
LGUW6331MELC
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 420V 20% SNAP
DS1100Z-200+T
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DELAY LINE 5TAP 200NS 8-SOIC
DSF050J153
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.015UF 50VDC RADIAL
DTS060200SUDC-P9P
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2000MA P9 POS C
IMC1210SY390K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 39UH 10% 1210
GRM31CR72E333KW03L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206