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IXFA4N100Q-TRL 全国供应商、价格、PDF资料

型号：厂商：批号：封装：
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IXFA4N100Q-TRL详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
系列：HiPerFET™
制造商：IXYS
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 2A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 1.5mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1050pF @ 25V
功率_最大：150W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：TO-263
包装：带卷 (TR)

IXFA4N100Q-TRL详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
系列：HiPerFET™
制造商：IXYS
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 2A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 1.5mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1050pF @ 25V
功率_最大：150W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：TO-263
包装：剪切带 (CT)

IXFA4N100Q-TRL详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
系列：HiPerFET™
制造商：IXYS
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 2A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 1.5mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1050pF @ 25V
功率_最大：150W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：TO-263
包装：Digi-Reel®

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