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IRLHS6376TRPBF详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：63 毫欧 @ 3.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 10µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：6-PQFN（2x2）; 包装：带卷 (TR)

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连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 39POS W/SKT WALL
JJD0E408MSEG
双电层，超级电容器 Nichicon 径向，Can - 螺丝端子 CAP SUPER 4000F 2.5V SCREW
IMP1-5K0-3E0-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KJB6T11F98PNL
圆形 - 外壳 ITT Cannon CONN HSG CABLE MNT PLUG 6POS