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IRLHS6342TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 10µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1019pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-PowerVDFN; 供应商设备封装：6-PQFN（2x2）; 包装：带卷 (TR)

IRLHS6342TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 10µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1019pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-PowerVDFN; 供应商设备封装：6-PQFN（2x2）; 包装：剪切带 (CT)

IRLHS6342TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 10µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1019pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-PowerVDFN; 供应商设备封装：6-PQFN（2x2）; 包装：Digi-Reel®

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