IRFR3709Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:86A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2330pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR3709ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:86A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2330pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR3709ZTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:86A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2330pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3709ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:86A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2330pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRFR3709ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:86A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2330pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3709ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:86A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2330pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- 开关转换器,SMPS 变压器 TDK Corporation INDUCTOR/XFRMR 9.9UH MULTIWIND
- 在系列适配器之间 Tripp Lite 非标准 ADAPTER DVI ANALOG TO HD15M
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC,SMA DIODE TVS 400W 9.1V UNI 10% SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 17POS
- 振荡器 NDK 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSCILLATOR 2.750000 MHZ 3V SMD
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN 12V 5.3A SOT89
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 7CIRC 9.50MM
- 开关转换器,SMPS 变压器 TDK Corporation INDUCTOR/XFRMR 7.6UH MULTIWIND
- 接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 18POS
- 振荡器 NDK - OSCILLATOR XO 32.768KHZ 2.5V SMD
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS 400W 9.1V 5% BIDIR SMA
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 8CIRC 9.50MM
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN 12V 5.8A SOT-223
- 时钟/计时 - 实时时钟 NXP Semiconductors 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CMOS RTC/CALENDAR 14-TSSOP