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IRFR12N25D详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR12N25DCPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR12N25DCTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR12N25DCTRRP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IRFR12N25DPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：管件

IRFR12N25DTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫欧 @ 8.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

IMC1210ER150K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 15UH 10% 1210
IL-312-A70SB-VFH05-A1
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 JAE Electronics 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） CONN RCPT 70POS 0.5MM SMD
IRFR12N25D
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
KPT00F14-12S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS W/SKT WALL
KPSE07E10-6PF0
圆形 - 外壳 ITT Cannon 6 PIN CONTACT CONNECTOR
IXTY08N100P
FET - 单 IXYS TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
ECQ-E2153KF3
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.015UF 250VDC RADIAL
IMC1210ER1R0J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 1.0UH 5% 1210
JW030F-M
DC DC Converters GE 9-DIP 模块 CONVERT DC/DC 3.3V 21.5W OUT
KPT00F14-12SX
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS W/SKT WALL
IXTY1N80
FET - 单 IXYS TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
KPSE07E12-10PX
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS JAM NUT W/PINS
ECQ-E2154JF9
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL
JW050A
DC DC Converters GE 9-DIP 模块 CONVERTER DC/DC 5V 50W OUT
IMC1210ER1R2J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1210

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