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IRFP250 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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IRFP250详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
系列:-
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2970pF @ 25V
功率_最大:190W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商设备封装:TO-247AD
包装:管件

IRFP250详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
系列:PowerMESH™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:33A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫欧 @ 16A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:158nc @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2850pF @ 25V
功率_最大:180W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商设备封装:TO-247-3
包装:管件

IRFP250MPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:123nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2159pF @ 25V
功率_最大:214W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商设备封装:TO-247AC
包装:管件

IRFP250NPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:123nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2159pF @ 25V
功率_最大:214W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商设备封装:TO-247AC
包装:散装

IRFP250PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2800pF @ 25V
功率_最大:190W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商设备封装:TO-247-3
包装:管件

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