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IRFD9210 全国供应商、价格、PDF资料

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IRFD9210详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 200V 400MA 4-DIP
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:400mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 240mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
功率_最大:1W
安装类型:通孔
封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包装:管件

IRFD9210PBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 200V 400MA 4-DIP
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:400mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 240mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
功率_最大:1W
安装类型:通孔
封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包装:管件

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