IRFD9110详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:700mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 420mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
- 包装:管件
IRFD9110PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:700mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 420mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
- 包装:管件
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- FET - 单 Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TRANSCEIVER RS-485/422 ESD 8SOIC
- 按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.047UF 50V 10% RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 100-LQFP IC ARM CORTEX MCU 128KB 100LQFP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 53A TO247
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil * IC LINEAR
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.047UF 50V 10% RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments IC ARM CORTEX MCU 64KB 100LQFP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- 数字隔离器 Texas Instruments 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) ISOLAT DGTL 3KVRMS 4CH 16-SOIC