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IRF830AL 全国供应商、价格、PDF资料

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IRF830AL详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:500V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 欧姆 @ 3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:620pF @ 25V
功率_最大:3.1W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:I2PAK
包装:管件

IRF830ALPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:500V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 欧姆 @ 3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:620pF @ 25V
功率_最大:3.1W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装:I2PAK
包装:管件

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