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IRF8306MTR1PBF 全国供应商、价格、PDF资料

型号：厂商：批号：封装：
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IRF8306MTR1PBF详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫欧 @ 23A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：4110pF @ 15V
功率_最大：2.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
供应商设备封装：DIRECTFET? MX
包装：Digi-Reel®

IRF8306MTR1PBF详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫欧 @ 23A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：4110pF @ 15V
功率_最大：2.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
供应商设备封装：DIRECTFET? MX
包装：带卷 (TR)

IRF8306MTR1PBF详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫欧 @ 23A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：4110pF @ 15V
功率_最大：2.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
供应商设备封装：DIRECTFET? MX
包装：剪切带 (CT)

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