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IRF6709S2TR1PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 13V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DirectFET? 等容 S1; 供应商设备封装：DIRECTFET S1; 包装：Digi-Reel®

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PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 20HTSSOP
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K221M10X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 100V X7R RADIAL
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