IPD50R950CE 全国供应商、价格、PDF资料

IPD50R950CE详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252

系列：*

制造商：Infineon Technologies

FET型：

FET特点：

漏极至源极电压333Vdss444：

电流_连续漏极333Id4440a025000C：

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：

Id时的Vgs333th444（最大）：

闸电荷333Qg4440a0Vgs：

输入电容333Ciss4440a0Vds：

功率_最大：

安装类型：

封装/外壳：

供应商设备封装：

包装：

IPD50R950CE详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252

系列：CoolMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：500V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 1.2A，13V

Id时的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 100µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：231pF @ 100V

功率_最大：34W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商设备封装：PG-TO252-3

包装：带卷 (TR)

IPD50R950CE详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 500V04.3A PG-TO252

系列：*

制造商：Infineon Technologies

FET型：

FET特点：

漏极至源极电压333Vdss444：

电流_连续漏极333Id4440a025000C：

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：

Id时的Vgs333th444（最大）：

闸电荷333Qg4440a0Vgs：

输入电容333Ciss4440a0Vds：

功率_最大：

安装类型：

封装/外壳：

供应商设备封装：

包装：